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动态随机存取存储器 (DRAM)

发表于 2021-12-20 13:20:20
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动态随机存取存储器 (DRAM) 是一种用于计算设备(主要是 PC)的随机存取存储器。DRAM 将每一位数据存储在位于集成电路板内部的独立无源电子元件中。每个电子元件在一个位中有两个值状态,称为 0 和 1。这个吸引器需要经常刷新,否则信息会消失。与需要 6 个晶体管的静态随机存取存储器 (SRAM) 相比,DRAM 的每位具有一个电容器和一个晶体管。使用的电容器和晶体管特别小。单个存储芯片上有数百万个电容器和晶体管。

DRAM是动态内存,SRAM是静态内存。电路板上的 DRAM 芯片需要每隔几毫秒刷新一次。这是通过将数据重写到模块来完成的。需要刷新的芯片是易失性存储器。DRAM 直接访问内存,在短时间内保留内存并在断电时丢失数据。SRAM 是静态的、不需要刷新的易失性存储器。因为 SRAM 的速度要快得多,所以它被用在寄存器和高速缓存中。SRAM 保存数据并以比 DRAM 更高的速度运行。尽管 SRAM 速度更快,但 DRAM 更常用于主板上,因为它的制造成本要低得多。

包含内存芯片的三种主要类型的电路板是双列直插内存模块 (DIMM)、单列直插内存模块 (SIMM) 和 Rambus 直列内存模块 (RIMM)。今天,大多数主板都使用 DIMM。DRAM 的模块刷新率是每几毫秒(1/1000 秒)。这种刷新是由位于主板芯片组上的内存控制器完成的。由于刷新逻辑用于自动刷新,因此DRAM电路板相当复杂。有不同的系统用于刷新,但所有方法都需要一个计数器来跟踪下一个需要刷新的行。DRAM 单元被组织在一个方形的电容器集合中,通常是 1024 x 1024 个单元。当一个单元处于“读取”状态时,整行被读出并写回刷新。当处于“写入”状态时,整行被“读取”,一个值被改变,然后整行被重写。根据系统的不同,有些 DRAM 芯片包含计数器,而其他系统则依赖于包含计数器的外围刷新逻辑。DRAM 的存取时间约为 60 纳秒,而 SRAM 可低至 10 纳秒。同样,DRAM 的循环时间比 SRAM 长很多。SRAM 的循环时间更短,因为它不需要在访问和刷新之间停止。DRAM 的循环时间比 SRAM 长很多。SRAM 的循环时间更短,因为它不需要在访问和刷新之间停止。DRAM 的循环时间比 SRAM 长很多。SRAM 的循环时间更短,因为它不需要在访问和刷新之间停止。

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