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记忆电阻器(Memristor)

发表于 2021-12-23 11:59:19
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记忆电阻器(memristor)是一种非线性无源两端电气元件,被认为是除原有的基本电路元件:电阻器、电容器和电感器之外的第四种基本电路元件。就像电阻器一样,它可以创建并维持安全的电流流过设备,但它也可以记住流过它的最后一次电荷。它与普通电阻器不同,因为它即使在没有电流或电压的情况下也能“记住”电荷,即使在设备关闭时也能存储信息。

记忆电阻起源于 1971 年由 Leon Chua 博士首次提出的理论。它本质上是一个两端无源电路,在电荷和磁通链之间具有非线性关系。虽然记忆电阻仍然遵循电压、电流及其时间积分等基本电路变量,但它们具有记忆的动态函数,可以描述为净电荷的某种函数,这在其他三个基本电路元件中是没有的。

忆阻器还具有逻辑功能,可以极大地改变当前的计算分区结构,因为这允许创建能够在同一空间中处理和存储数据的设备。目前没有标准的存储电阻,相反,每个设备都实现了一个特定的功能,其中电压的积分决定了电流的积分,反之亦然。

由于忆阻器仍在开发中,它们的未来取决于确定最佳材料实现。目前,IBM、三星、HRL、惠普等众多研究实验室已经对二氧化钛忆阻器表现出兴趣,但也有不少其他类型的忆阻器正在研究中。

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